[发明专利]全干法深刻蚀硅溶片制造方法

摘要

本发明公开了一种全干法深刻蚀硅溶片制造方法，它涉及微电子机械工艺加工技术领域中的微电子机械系统器件结构的制造。它采用玻璃片、硅片、硅片的三层结构。利用全干法工艺实现MEMS可动硅结构制造。并且本发明还具有制造工艺简单，能采用普通常用工艺设备制造及封装，降低了制造成本。制造的可动硅结构厚度较厚，提高了器件的电气性能和可靠性，能普及应用于MEMS惯性器件、光学器件、微波器件、压力传感器件等多种MEMS器件制造。

主权项

1.一种全干法深刻蚀硅溶片制造方法，其特征在于包括步骤：①玻璃片(3)上用光刻工艺刻蚀出电极(4)形状；②玻璃片(3)上溅射厚度为1500至2500埃的钛、铂、金复合金属层；③用剥离工艺在玻璃片(3)上剥离出金属电极(4)形状；④中间层单晶硅片(2)用光刻工艺刻出台面(7)结构形状，用反应离子刻蚀法刻蚀出台面(7)的高度(8)，台面高度(8)的高度尺寸为2至40微米；⑤将玻璃片(3)和中间层单晶硅片(2)通过静电键合工艺贴合成玻璃硅片结构；⑥将玻璃硅片结构中的中间层单晶硅片(2)进行磨片、抛光，使中间层单晶硅片(2)的厚度尺寸为100至300微米；⑦用双面光刻法将玻璃硅片结构上的中间层单晶硅片(2)背面刻蚀出可动硅(6)结构；⑧用砂轮划片机划片，将玻璃片(3)划成不分开的管芯；⑨用电感耦合等离子体刻蚀法刻蚀中间层单晶硅片(2)、刻蚀直至玻璃片(3)表面，使可动硅(6)结构悬空；⑩最上层单晶硅片(1)用双面光刻法光刻刻蚀出双面对准标志；在单晶硅片(1)正面通过丝网印刷工艺获得玻璃涂料的键合台面(5)结构；在单晶硅片(1)上采用电感耦合等离子体刻蚀法刻蚀出深度为10至300微米的台阶(9)结构；用玻璃涂料键合工艺将最上层单晶硅片(1)与玻璃片(3)贴合，形成单晶硅片(1)、单晶硅片(2)、玻璃片(3)的三层复合硅片结构。用砂轮划片机划片，将最上层单晶硅片(1)划成管芯，并将覆盖在电极(4)上的硅片划掉；将已划痕的复合硅片掰成管芯，器件成型。