[发明专利]单晶硅衬底上可动微机械结构单片集成的制作方法

摘要

本发明公开了一种单晶硅衬底上可动微机械结构单片集成的制作方法，它涉及微电子机械工艺加工技术领域中的微电子机械系统结构器件的制造。它采用浓硼扩散、光刻、深反应离子刻蚀和选择性湿法腐蚀技术工艺，实现可动悬空与固定微结构都制作在同一单晶硅片上，达到可动微机械单片集成制作目的。本发明具有制造成本低廉，操作制造简易，能单片集成和大规模集成等优点，适合于光开关、谐振器、加速度计等多种具有可动微结构器件的制作。

主权项

1、一种单晶硅衬底上可动微机械结构单片集成的制作方法，其特征在于它包括步骤：①单面抛光N型单晶硅片(1)；②在温度1175℃下，用固态硼源对N型单晶硅片(1)双面深结浓硼扩散，形成浓硼扩散P型层(2)，构成电绝缘PN结；③浓硼扩散P型层(2)上涂一层光刻胶(3)；④对抛光P型层(2)面上光刻胶(3)进行光刻，形成悬空可动微结构图形；⑤以光刻胶(3)为掩膜，深反应离子刻蚀P型硅区至N型硅区，可动微结构成型；⑥用硫酸煮8至10分钟去除光刻胶(3)，利用选择性湿法腐蚀对浓硼扩散P型层的不腐蚀性挖空N型硅区，可动微结构悬空，器件成型。