[发明专利]一种高反压低负阻硅晶体管的制造方法无效
| 申请号： | 03112410.0 | 申请日： | 2003-06-10 |
| 公开（公告）号： | CN1463030A | 公开（公告）日： | 2003-12-24 |
| 发明（设计）人： | 裴素华 | 申请（专利权）人： | 山东师范大学 |
| 主分类号： | H01L21/318 | 分类号： | H01L21/318;H01L21/331;H01L47/00 |
| 代理公司： | 济南三达专利事务所 | 代理人： | 孙君 |
| 地址： | 250014 *** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 高反压低负阻硅晶体管的制造方法，属于高反压晶体三极管的制造技术领域。包括N型抛光硅片的清洁处理，一次氧化，基区开管扩镓，一次光刻及后序常规工艺，在开管扩镓之后，一次光刻之前，采用低压气相沉积的方法在SiO2上面生长厚度为1000的氮化硅Si3N4薄膜。在开管扩镓时，为了保证产品的高电压和大电流输出特性，本发明采用低浓度掺杂、结深推移和后表面高浓度掺杂，且在同一炉内连续完成，以形成P型Ga基区。本发明利用Si3N4薄膜掩蔽镓元素扩散的特性来阻止磷扩散再分布过程中近硅表面杂质Ga的外扩散，改善与提高了小注入情况下的放大性能，大幅度减小了Ga基区晶体管的负阻效应。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 压低 负阻硅 晶体管 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.高反压低负阻硅晶体管的制造方法，包括N型抛光硅片的清洁处理，一次氧化，基区开管扩镓，一次光刻及后序常规工艺，其特征是在开管扩镓之后，一次光刻之前，采用低压气相沉积的方法在SiO2上面生长厚度为1000_的氮化硅Si3N4薄膜。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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