[发明专利]横向缓冲P型金属氧化物半导体管无效
| 申请号： | 03112627.8 | 申请日： | 2003-01-08 |
| 公开（公告）号： | CN1424770A | 公开（公告）日： | 2003-06-18 |
| 发明（设计）人： | 孙伟锋;陆生礼;易扬波;孙智林;时龙兴 | 申请（专利权）人： | 东南大学 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78 |
| 代理公司： | 南京经纬专利代理有限责任公司 | 代理人： | 王之梓 |
| 地址： | 210096*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种横向缓冲P型金属氧化物半导体管，包括：P型衬底，在P型衬底上设有N型外延层，在N型外延层上设有P型漂移区、源、N型外延接触孔和场氧化层，在P型漂移区上设有漏和另一场氧化层，在场氧化层、N型外延接触孔、源、N型外延层、另一场氧化层和漏上设有栅氧化层，在栅氧化层上设有多晶栅，在栅氧化层和多晶栅上设有氧化层，在N型外延接触孔及源、多晶栅和漏上分别设有铝引线，在P型漂移区和漏之间设有P型缓冲层。本发明引入了P型缓冲层，P型缓冲层可以减小漏区的电场曲率、降低漏极电流聚集，从而减少漏极碰撞电离和二次击穿现象，提高击穿电压；P型缓冲层还可以降低导通电阻，从而增大工作电流。 | ||
| 搜索关键词： | 横向 缓冲 金属 氧化物 半导体 | ||
【主权项】：
1、一种横向缓冲P型金属氧化物半导体管，包括：P型衬底(1)，在P型衬底(1)上设有N型外延层(2)，在N型外延层(2)上设有P型漂移区(3)、源(4)、N型外延接触孔(5)和场氧化层(6)，在P型漂移区(3)上设有漏(7)和另一场氧化层(8)，在场氧化层(6)、N型外延接触孔(5)、源(4)、N型外延层(2)、另一场氧化层(8)和漏(7)上设有栅氧化层(9)，在栅氧化层(9)上设有多晶栅(10)，在栅氧化层(9)和多晶栅(10)上设有氧化层(11)，在N型外延接触孔(5)及源(4)、多晶栅(10)和漏(7)上分别设有铝引线(12、13和14)，其特征在于在P型漂移区(3)和漏(7)之间设有P型缓冲层(15)。
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