[发明专利]半导体器件及其制造方法无效
| 申请号： | 03112756.8 | 申请日： | 2003-01-24 |
| 公开（公告）号： | CN1431714A | 公开（公告）日： | 2003-07-23 |
| 发明（设计）人： | 吴念博 | 申请（专利权）人： | 苏州固锝电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/70 | 分类号： | H01L29/70;H01L29/866;H01L29/861;H01L21/328;H01L21/22;H01L21/24 |
| 代理公司： | 苏州创元专利事务所有限公司 | 代理人： | 马明渡 |
| 地址： | 215153 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体器件及制造方法，其技术要点在于：将含有一种类型杂质成分的硅－杂质混合物，用电子束蒸发方法或溅射方法直接淀积到另一种类型的硅半导体基片上，通过该合金将杂质在硅半导体基片中扩散形成P－N结。杂质的扩散量仅受应该淀积的合金组成和含量的影响，而且其组成和含量可以预先测定和准备，致于淀积以及杂质扩散完全不受温度、气体、时间的影响，因此具有非常突出的稳定性。本发明适合于制造稳压二极管和快速恢复二极管，其特点是使用的设备简单，稳压电压的离散性很小，产品合格率高，损耗低，工序简单，同时制造方法也更有利于环保，对提高稳压二极管的品质具有重大意义。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种半导体器件，包含P-N结，其特征在于：该P-N结是在一种P型或N型硅半导体基片上，直接淀积含另一种N型或P型杂质的硅-杂质混合物或合金淀积层所形成，其杂质在硅半导体基片内扩散分布呈现陡峭的突变型浓度变化，而且扩散层浅薄。
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