[发明专利]低调制电压动态范围的场发射门电极和调制电极组件无效
| 申请号： | 03112818.1 | 申请日： | 2003-02-11 |
| 公开（公告）号： | CN1487556A | 公开（公告）日： | 2004-04-07 |
| 发明（设计）人： | 张晓兵;雷威 | 申请（专利权）人： | 东南大学 |
| 主分类号： | H01J29/46 | 分类号： | H01J29/46;H01J9/02;H01J1/00 |
| 代理公司： | 南京经纬专利商标代理有限公司 | 代理人： | 沈廉 |
| 地址： | 21009*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 低调制电压动态范围的场发射门电极和调制电极组件，涉及场发射器件、场发射显示器件，特别是通过改变场发射器件的结构实现低调制电压动态范围的结构。该结构中，采用在平整的介质平板12上开漏斗形孔13作为电子通道，在介质板12上漏斗形孔13的大孔一面制作门电极14，在小孔一面制作调制电极15，在门电极14的表面设有介质层17，使在门电极14控制下阴极发射电子18打在门电极14上的介质层17或漏斗形孔内壁16上产生二次电子，二次电子在调制电压的作用下，其通过孔的电子受到调制，能克服阴极发射单元的均匀性问题，降低电子能量，达到低调制电压动态范围的目的。 | ||
| 搜索关键词： | 调制 电压 动态 范围 射门 电极 组件 | ||
【主权项】：
1、一种低调制电压动态范围的场发射门电极和调制电极组件，其特征在于该结构中，采用在平整的介质平板(12)上开漏斗形孔(13)作为电子通道，在介质板(12)上漏斗形孔(13)的大孔一面制作门电极(14)，在小孔一面制作调制电极(15)，使在门电极(14)控制下阴极发射电子(18)打在门电极(14)上或漏斗形孔内壁(16)上产生二次电子，二次电子在调制电压的作用下，其通过孔的电子受到调制。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于东南大学，未经东南大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/03112818.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：用于阴极射线管的阴罩
- 下一篇：彩色阴极射线管及电子枪
