[发明专利]激光诱导制备尺寸可控高密度纳米硅量子点列阵无效
| 申请号： | 03113046.1 | 申请日： | 2003-03-25 |
| 公开（公告）号： | CN1438168A | 公开（公告）日： | 2003-08-27 |
| 发明（设计）人： | 黄信凡;陈坤基;李伟;徐骏;冯端;王明湘;姜建功;施伟华 | 申请（专利权）人： | 南京大学 |
| 主分类号： | B82B3/00 | 分类号： | B82B3/00 |
| 代理公司： | 南京知识律师事务所 | 代理人： | 陈建和 |
| 地址： | 210094 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 激光诱导制备尺寸可控高密度纳米硅量子点列阵的方法：先进行多层调制结构的制备：利用等离子体增强化学汽相淀积技术制备非晶硅或锗/非晶氮化硅或二氧化硅的单层或多层调制结构，其中a－Si：H子层厚度与激光晶化后希望获得的量子点尺寸基本相符；然后用激光诱导晶化：衬底温度：150－250℃。本发明实现限制性结晶能够有效地控制硅量子点的形成与大小分布，由于多层调制结构中a－Si：H子层的厚度可人工设计，精度可达0.5nm，可控性强，从而使得最后形成的nc－Si量子点尺寸也可人工设计并控制。介质层a－SiNX：H或a－SiO2子层厚度可薄至5nm， | ||
| 搜索关键词： | 激光 诱导 制备 尺寸 可控 高密度 纳米 量子 列阵 | ||
【主权项】：
1、激光诱导制备尺寸可控高密度纳米硅量子点列阵的方法：先进行多层调制结构的制备：利用等离子体增强化学汽相淀积技术制备非晶硅或锗/非晶氮化硅或二氧化硅的单层或多层调制结构，其特征是其中a-Si∶H子层厚度与激光晶化后希望获得的量子点尺寸基本相符；然后用激光诱导晶化：衬底温度：150-250℃。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于南京大学，未经南京大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/03113046.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
