[发明专利]射频台式硅二极管电泳沉积玻璃钝化共形膜制备方法无效
申请号: | 03113057.7 | 申请日: | 2003-03-26 |
公开(公告)号: | CN1440061A | 公开(公告)日: | 2003-09-03 |
发明(设计)人: | 林立强;刘萍 | 申请(专利权)人: | 中国电子科技集团公司第五十五研究所 |
主分类号: | H01L21/56 | 分类号: | H01L21/56 |
代理公司: | 南京天华专利代理有限责任公司 | 代理人: | 徐冬涛 |
地址: | 210016 *** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明提供一种射频台式硅二极管电泳沉积玻璃钝化共形膜制备方法。即在通用的锌系钝化玻璃或铅系钝化玻璃组分中添加成核剂或能提高烧结时玻璃粘度的高熔点氧化物;采用电泳沉积术涂敷于硅器件表面经热成型后即形成一薄层均匀的旨在改善台面拐角处这一关键部位在内的与台面共形的钝化玻璃膜,成核剂及高熔点金属氧化物可采用TiO2或Al2O3,也可采用TiO2加Al2O3复合型添加剂。本发明其特征是在普通锌系和铅系钝化玻璃组分中按重量比添加2%到6%比例的TiO2或Al2O3,或2%-5%的TiO2和2%-5%的Al2O3复合型添加剂以改善其热成型时的性能。 | ||
搜索关键词: | 射频 台式 二极管 电泳 沉积 玻璃 钝化 共形膜 制备 方法 | ||
【主权项】:
1、一种射频台式硅二极管电泳沉积玻璃钝化共形膜制备方法,该制备方法包括采用电泳沉积技术在台式硅二极管芯片表面沉积一层均匀的玻璃粉层;烘干后将样品送入高温炉,在玻璃软化温度区预成型形成预成型玻璃钝化膜;继续将样品送入高温炉的玻璃热成型温度区进行快速微晶化热成型;降温退火;其特征是在钝化玻璃原组分中按重量比添加入2%~6%TiO2或Al2O3。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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