[发明专利]高频多层片式陶瓷电容器及其制造方法有效
| 申请号： | 03113718.0 | 申请日： | 2003-01-30 |
| 公开（公告）号： | CN1521777A | 公开（公告）日： | 2004-08-18 |
| 发明（设计）人： | 曾拥军;张伟雄;李筱瑜;李孔俊 | 申请（专利权）人： | 广东风华高新科技集团有限公司 |
| 主分类号： | H01G4/12 | 分类号： | H01G4/12;H01G4/005;H01G4/008;H01G4/30;H01G13/00 |
| 代理公司： | 广州三环专利代理有限公司 | 代理人： | 戴建波 |
| 地址： | 526020*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种高频片式多层陶瓷电容器及其制造方法，包括：镍或镍合金的内电极(1)、与内电极交叉叠层的介质层(2)以及与导出的内电极(1)相连接的铜或铜合金端电极(3)，其中，介质层(2)采用抗还原的高频特性的瓷料，介质层层数为20～1000层，烧后介质层的厚度为0.8～25μm，内电极(1)烧后的厚度为0.6～2.0μm。本发明可生产出高层数、薄层化的高频片式多层陶瓷电容器，并能大大降低生产成本，具有良好的介电性能。 | ||
| 搜索关键词： | 高频 多层 陶瓷 电容器 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种高频片式多层陶瓷电容器，包括内电极(1)、内电极交替叠层的介质层(2)以及与导出的内电极(1)相连接的端电极(3)，其特征在于，所述高频片式多层陶瓷电容器中介质层(2)的层数为20～1000层，每层介质层的烧后厚度为0.8～25μm，每层内电极(1)的烧后厚度为0.6～2.0μm。
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