[发明专利]氮化镓晶体的制造方法无效

专利信息
申请号: 03113769.5 申请日: 2003-02-18
公开(公告)号: CN1434482A 公开(公告)日: 2003-08-06
发明(设计)人: 王浩;范广涵 申请(专利权)人: 华南师范大学
主分类号: H01L21/20 分类号: H01L21/20;C30B25/02;C30B29/38
代理公司: 广州粤高专利代理有限公司 代理人: 何燕玲,罗勇
地址: 510630*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 发明涉及半导体器件材料的制造方法,更准确地是氮化镓晶体的制造方法,包括以下步骤:(1)在衬底上外延生长氮化镓或氮化铝;(2)在氮化镓表面热沉积硅、碳化硅、氮化硅、或氧化硅的结晶颗粒;(3)继续外延生长氮化镓如再生长不掺杂的或掺杂的氮化镓薄膜D或LED、LD、HEMT等光电子、电子器件结构;所述衬底可以是蓝宝石、碳化硅、硅、砷化镓、氧化锌、氧化镁、LiAlO2、或LiGaO2;本发明可以有效降低位错,解决衬底与外延层失配问题。
搜索关键词: 氮化 晶体 制造 方法
【主权项】:
1、一种氮化镓结晶的制造方法,其特征在于包括以下步骤:(1)在衬底上外延生长氮化镓或氮化铝;(2)在氮化镓表面热沉积硅、碳化硅、氮化硅、或氧化硅的结晶颗粒;(3)继续外延生长氮化镓;所述衬底可以是蓝宝石、碳化硅、硅、砷化镓、氧化锌、氧化镁、LiAlO2、或LiGaO2。
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