[发明专利]氮化镓晶体的制造方法无效
申请号: | 03113769.5 | 申请日: | 2003-02-18 |
公开(公告)号: | CN1434482A | 公开(公告)日: | 2003-08-06 |
发明(设计)人: | 王浩;范广涵 | 申请(专利权)人: | 华南师范大学 |
主分类号: | H01L21/20 | 分类号: | H01L21/20;C30B25/02;C30B29/38 |
代理公司: | 广州粤高专利代理有限公司 | 代理人: | 何燕玲,罗勇 |
地址: | 510630*** | 国省代码: | 广东;44 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明涉及半导体器件材料的制造方法,更准确地是氮化镓晶体的制造方法,包括以下步骤:(1)在衬底上外延生长氮化镓或氮化铝;(2)在氮化镓表面热沉积硅、碳化硅、氮化硅、或氧化硅的结晶颗粒;(3)继续外延生长氮化镓如再生长不掺杂的或掺杂的氮化镓薄膜D或LED、LD、HEMT等光电子、电子器件结构;所述衬底可以是蓝宝石、碳化硅、硅、砷化镓、氧化锌、氧化镁、LiAlO2、或LiGaO2;本发明可以有效降低位错,解决衬底与外延层失配问题。 | ||
搜索关键词: | 氮化 晶体 制造 方法 | ||
【主权项】:
1、一种氮化镓结晶的制造方法,其特征在于包括以下步骤:(1)在衬底上外延生长氮化镓或氮化铝;(2)在氮化镓表面热沉积硅、碳化硅、氮化硅、或氧化硅的结晶颗粒;(3)继续外延生长氮化镓;所述衬底可以是蓝宝石、碳化硅、硅、砷化镓、氧化锌、氧化镁、LiAlO2、或LiGaO2。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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