[发明专利]Ⅲ族氮化物半导体蓝色发光器件无效
| 申请号： | 03113770.9 | 申请日： | 2003-02-18 |
| 公开（公告）号： | CN1431722A | 公开（公告）日： | 2003-07-23 |
| 发明（设计）人： | 范广涵 | 申请（专利权）人： | 华南师范大学 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01S5/30 |
| 代理公司： | 广州粤高专利代理有限公司 | 代理人： | 何燕玲,罗勇 |
| 地址： | 510630*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体器件，准确地是一种III族氮化物的半导体蓝色发光器件，其有源区两侧的包层中至少包括一层M*(Alx1Inx2Gax3N－Aly1Iny2Gay3N)应变层超晶格结构，该结构能消除GaN与衬底晶格失配引起的缺陷，比通常的AlGaN包层有改善晶体完整性等优点，能更有效和更均匀的将载流子限制在有源区，从而提高复合发光效率和均匀性。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化物 半导体 蓝色 发光 器件 | ||
【主权项】：
1、一种III族氮化物半导体蓝色发光器件，其特征在于包括蓝宝石衬底、半导体层、包层、有源层，所述有源层两侧的包层中至少包括一层M*(Alx1Inx2Gax3N-Aly1Iny2Gay3N)应变层超晶格结构，其阱层(Alx1Inx2Gax3N)和垒层(Aly1Iny2Gay3N)交替分布，式中x1+x2+x3＝1，0≤x1，x2，x3≤1；y1+y2+y3＝1，0≤y1，y2，y3≤1；M是超晶格的周期数，M≥3；阱层和垒层的平均晶格常数等于半导体层的晶格常数，超晶格的n＝1的子能带带隙能将载流子约束和局限在有源层中。
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