[发明专利]一种纳米级蓝宝石衬底的加工方法及其专用抛光液无效
申请号: | 03114350.4 | 申请日: | 2003-04-30 |
公开(公告)号: | CN1469459A | 公开(公告)日: | 2004-01-21 |
发明(设计)人: | 黄河;李炳田;蔡隆良;陈荣梅 | 申请(专利权)人: | 东莞市福地电子材料有限公司 |
主分类号: | H01L21/86 | 分类号: | H01L21/86;H01L33/00;B24B1/00;C09K3/14;C08J5/14 |
代理公司: | 东莞市华南专利事务所 | 代理人: | 李卫平 |
地址: | 523082广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本发明涉及半导体器件的加工方法技术领域,尤其是一种高亮度蓝色发光二极管(HB-LED)管芯所用的蓝宝石衬底的加工方法;本发明还涉及高亮度发光二极管(HB-LED)管芯所用的蓝宝石衬底的加工方法专用的抛光液。其中,蓝宝石衬底加工方法由粘片、粗磨、细磨、粗抛、精抛几个步骤组成;所述的纳米抛光液则由纳米硅粉、乙二醇、甘油、乙醇氨以及去离子水构成;当上述加工步骤和纳米抛光液配合使用时,可以大大提高蓝宝石衬底的表面光洁度、降低其表面粗糙度,消除应力,达到镜面抛光效果,从而降低刀具损耗,提高刀具的使用寿命,节约生产成本和提高产品的合格率。另外,纳米抛光液与普通的微米级抛光液相比,还可大大缩短抛光周期,从而又达到提高劳动生产率的目的。 | ||
搜索关键词: | 一种 纳米 蓝宝石 衬底 加工 方法 及其 专用 抛光 | ||
【主权项】:
1.一种纳米级蓝宝石衬底的加工方法,其特征在于:它由如下步骤构成:(1)粘片,根据蓝宝石衬底的特点,利用粘片设备将其长有器件的一面粘贴在玻璃片上,以便于研磨时真空吸附在磨头上,保证芯片粘接的稳定性;(2)粗磨,在压力为1.5Kg~4.5Kg,温度为22℃±2℃的条件下,利用粗磨机将蓝宝石衬底的厚度由330~450微米减薄至120微米左右、粗糙度为2.0微米左右;(3)细磨,在压力为1.5Kg~4.5Kg,温度为22℃±2℃的条件下,利用细磨机将蓝宝石衬底由120微米的厚度减薄至90~95微米、粗糙度为0.5微米左右,厚度均匀性在2.0微米以内;(4)粗抛,在压力为1.5Kg~4.5Kg,温度为22℃±2℃的条件下,利用粗抛机和纳米抛光液对蓝宝石衬底进行抛光,使其粗糙度达到0.1微米左右,厚度的均匀性在1.0微米以内;(5)精抛,在压力为1.5Kg~4.5Kg,温度为22℃±2℃的条件下,利用精抛机和纳米抛光液对蓝宝石衬底进行抛光,使蓝宝石衬底的表面粗糙度达到20纳米以下、高光洁度(镜面效果)、无应力(无翘曲、无变形)。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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