[发明专利]一种用于扩散、氧化工艺的单步清洗方法无效
| 申请号： | 03114701.1 | 申请日： | 2003-01-02 |
| 公开（公告）号： | CN1424745A | 公开（公告）日： | 2003-06-18 |
| 发明（设计）人： | 王刘坤 | 申请（专利权）人： | 上海华虹（集团）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/302 | 分类号： | H01L21/302;B08B3/08 |
| 代理公司： | 上海正旦专利代理有限公司 | 代理人： | 陆飞,陶金龙 |
| 地址： | 200020 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明属于集成电路制造工艺技术领域，具体涉及到一种新的用于扩散、氧化工艺单步预清洗方法，清洗溶液代号为HHSC1AC－Clean。它以APM为基础，添加TMAH和EDTA，组成新的清洗溶液配方，只需一步清洗就能实现原来的多步清洗效果。本发明清洗质量优异，工艺稳定性好，可大大缩短生产工艺时间，减少设备占地面积，并能改善环境、安全性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 用于 扩散 氧化 工艺 清洗 方法 | ||
【主权项】：
1、一种用于扩散、氧化工艺的单步预清洗方法，其特征在于清洗液以APM溶液为基础，其氨水∶双氧水∶去离子水体积的比例为1∶3-5∶15-25，溶液的温度为40-80℃，单步清洗时间为3至15分钟，预清洗后进行HF清洗，然后进行漂洗和干燥。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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