[发明专利]一种含硅低介电常数材料的干法刻蚀工艺无效
| 申请号： | 03114704.6 | 申请日： | 2003-01-02 |
| 公开（公告）号： | CN1424748A | 公开（公告）日： | 2003-06-18 |
| 发明（设计）人： | 缪炳有;徐小诚 | 申请（专利权）人： | 上海华虹（集团）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/311 | 分类号： | H01L21/311;H01L21/3065 |
| 代理公司： | 上海正旦专利代理有限公司 | 代理人： | 陆飞,陶金龙 |
| 地址： | 200020 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明属于半导体集成电路制造工艺技术领域，具体涉及一种低介电材料Z3MS干法刻蚀工艺。随着器件尺寸愈来愈小，互连RC延迟对器件开启速度影响愈来愈大。目前人们用铜和低介电材料来减少RC互连延迟。Z3MS是一种新的低介电材料，因此在工艺集成过程中还需要解决一些相关工艺问题，如刻蚀工艺。Z3MS主要成分为Si、O和C，还有少量的H。本发明选择干法刻蚀气体——Ar/CF4/CHF3/O2，进行反应离子刻蚀，其优点是：刻蚀槽/孔形状好，侧壁直而不弯，底部和开口处的边缘圆滑，硬掩膜下无侧切现象；另外，选择比很高。本发明工艺简单，容易操作，稳定性好，很适用于大生产线。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 含硅低 介电常数 材料 刻蚀 工艺 | ||
【主权项】：
1、一种含硅低介电材料的干法刻蚀工艺，其特征在于：采用Ar/CF4/CHF3/O2干法刻蚀气体，具体过程为：将要刻蚀的Z3MS硅片放入刻蚀设备；用Ar/CF4/CHF3/O2干法刻蚀气体进行刻蚀；然后移向下一步工艺---底部SiC层的刻蚀。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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