[发明专利]掺钕钒酸钇和钒酸钇复合激光晶体的生长方法无效
| 申请号： | 03114819.0 | 申请日： | 2003-01-10 |
| 公开（公告）号： | CN1425806A | 公开（公告）日： | 2003-06-25 |
| 发明（设计）人： | 徐军;宋词 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海光学精密机械研究所 |
| 主分类号： | C30B7/10 | 分类号： | C30B7/10;C30B29/30 |
| 代理公司： | 上海新天专利代理有限公司 | 代理人： | 张泽纯 |
| 地址： | 201800 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种掺钕钒酸钇和钒酸钇复合激光晶体的生长方法，采用水热法生长炉在掺钕钒酸钇单晶两端生长不掺杂的钒酸钇单晶而成，晶体完整性好，将其切割、加工后制成激光器，该激光器在小型化、高效率、低阈值固体激光领域有广阔的应用前景。 | ||
| 搜索关键词： | 掺钕钒酸钇 钒酸钇 复合 激光 晶体 生长 方法 | ||
【主权项】：
1、一种掺钕钒酸钇和钒酸钇复合激光晶体的生长方法，采用水热生长炉进行生长，其特征在于包括下列步骤：①.根据晶体生长的需要，将一定数量和粒径的YVO4放入高压釜中黄金衬套底部的溶解区；②.按55％～85％的填充度向高压釜内填充碱金属矿化剂和H2O的混合溶液；③.用黄金丝制做梯形籽晶架，按一定方向切割Nd:YVO4籽晶片，抛光加工后，用黄金丝将籽晶片固定在籽晶架上；④.将籽晶架缓缓放入黄金衬管内，密封好后再一起放入高压釜内，再将高压釜缓缓放入电阻炉中；⑤.电阻炉升温，调整温度，使溶解区温度为350℃，生长区温度为410℃，温差60℃，工作压力1500atm，使高压釜反应腔内外温度达到平衡；⑥.恒温生长，生长同期由YVO4/Nd:YVO4/YVO4所需YVO4晶体厚度而定；⑦.停炉，打开保温罩，将高压釜从电阻炉中提出，取出籽晶架，取出晶体，用温水将籽晶表面溶液洗净，即可获得所需掺钕钒酸钇和钒酸钇复合激光晶体。
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