[发明专利]在氧化铝陶瓷上进行金刚石薄膜定向生长的方法无效
| 申请号： | 03114880.8 | 申请日： | 2003-01-14 |
| 公开（公告）号： | CN1458129A | 公开（公告）日： | 2003-11-26 |
| 发明（设计）人： | 夏义本;王林军;方志军;莫要武;簧晓琴;戴雯琦;文黎星;张文广 | 申请（专利权）人： | 上海大学 |
| 主分类号： | C04B41/85 | 分类号： | C04B41/85;C23C16/50;C23C16/27 |
| 代理公司： | 上海上大专利事务所 | 代理人： | 王正 |
| 地址： | 20007*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明述及一种在氧化铝陶瓷上进行金刚石薄膜定向生长的方法，其特征在于采用微波等离子体化学气相沉积法进行金刚石薄膜定向沉积，其工艺步骤如下：a.在未沉积金刚石膜之前，采用碳离子注入处理法+对氧化铝陶瓷进行碳离子注入，然后在含有氮气和氢气的混合气氛下进行微波等离子体高温退火处理；b.在经退火处理的氧化铝陶瓷上进行金刚石膜的定向沉积，即将氧化铝陶瓷放置在微波等离子体辐射的石英管反应室中，反应室抽真空并送入氢气和甲烷的混合气体，在特殊装置中和特定工艺下，进行气相沉积金刚石薄膜，而且是定向晶粒形成的金刚石薄膜。 | ||
| 搜索关键词： | 氧化铝陶瓷 进行 金刚石 薄膜 定向 生长 方法 | ||
【主权项】：
1.一种在氧化铝陶瓷上进行金刚石薄膜定向生长的方法，其特征在于，采用微波等离子体化学气相沉积法进行金刚石薄膜定向沉积，其工艺步骤如下：a.在未沉积金刚石膜之前，采用C12+对氧化铝陶瓷进行碳离子注入处理，然后在含有95％氮气和5％氢气的混合气氛下进行微波等离子体高温退火处理；b.在上述经处理的氧化铝陶瓷上进行金刚石膜的定向沉积，即将氧化铝陶瓷放置在微波等离子体辐射的石英管反应室中，反应室抽真空并送入分析纯的氢气和分析纯的甲烷的混合气体，其中甲烷占有体积百分数为0.5-5％，氧化铝陶瓷的温度保持在500-900℃之间，在特殊装置中进行气相沉积金刚石薄膜；在沉积金刚石薄膜过程中采用循环生长工艺，即采用金刚石膜生长与氢等离子体刻蚀循环交替的生长模式，通过控制甲烷流量开关来实现。
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