[发明专利]一种基于脊型光波导的多模干涉耦合器无效
申请号: | 03114893.X | 申请日: | 2003-01-13 |
公开(公告)号: | CN1431530A | 公开(公告)日: | 2003-07-23 |
发明(设计)人: | 戴道锌;何赛灵 | 申请(专利权)人: | 浙江大学 |
主分类号: | G02B6/27 | 分类号: | G02B6/27;G02B6/136;H04J14/06 |
代理公司: | 杭州求是专利事务所有限公司 | 代理人: | 林怀禹 |
地址: | 310027 浙*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | 本发明公开了一种基于脊型光波导的多模干涉耦合器,包括至少一条输入波导、一个MMI区域和至少一条输出波导,输入波导通过MMI区域与输出波导连接。至少一条输入波导从输入到输出由浅刻蚀区域、taper区域组成。MMI区域为深刻蚀区域。至少一条输出波导从输入到输出由taper区域、浅刻蚀区域组成。还可以在taper波导区域和MMI深刻蚀区域之间连有深刻蚀波导区域。本发明解决了垂直方向的多模干涉问题,解决了传统MMI耦合器存在的插入损耗、通道均匀性等问题。具有以下优点:便于与其他集成光波导器件连接,提高了自成像的质量。弯曲部分可为深刻蚀,从而减小了器件尺寸,提高了集成度。 | ||
搜索关键词: | 一种 基于 脊型光 波导 干涉 耦合器 | ||
【主权项】:
1.一种基于脊型光波导的多模干涉耦合器,包括至少一条输入波导、一个MMI区域和至少一条输出波导,输入波导通过MMI区域与输出波导连接;其特征在于至少一条输入波导从输入到输出由浅刻蚀区域(8)、taper区域(9)组成;MMI区域为深刻蚀区域(11);至少一条输出波导从输入到输出由taper区域(13)、浅刻蚀区域(14)组成。
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