[发明专利]一种铁电单管锁存结构以及嵌入式不挥发逻辑集成电路

摘要

本发明涉及一种铁电单管锁存结构以及利用该锁存结构实现的嵌入不挥发逻辑集成电路。铁电单管锁存结构由铁电单管单元、传输门、电阻、倒相器、逻辑门等数字电路基本单元相结合构成，具有锁存数字电路的逻辑状态的功能。将其嵌入大规模集成电路中，可实现整个芯片的逻辑不挥发。

主权项

1、一种不挥发铁电单管锁存结构，由铁电单管单元M、传输门①-⑧、倒相器N、电阻Resistor和若干逻辑门相结合构成，其中铁电单管单元M的基本结构为：在MOS结构的栅极上淀积一层铁电薄膜并用铁电薄膜的极化状态来调制源、漏间的电流，铁电单管单元M的栅极G与传输门①、②、③的输出端连接；漏极D与电阻Resistor连接，电阻的另一端与传输门④、⑤的输出端连接，漏极D还与倒相器N的输入端连接，而倒相器的输出端与传输门⑧的输入端连接；源极S与传输门⑥、⑦的输出端连接。