[发明专利]薄膜型阴栅极及其制备方法无效
| 申请号： | 03115394.1 | 申请日： | 2003-02-14 |
| 公开（公告）号： | CN1447367A | 公开（公告）日： | 2003-10-08 |
| 发明（设计）人： | 郭太良;叶光 | 申请（专利权）人： | 厦门火炬福大显示技术有限公司;福州大学 |
| 主分类号： | H01J1/30 | 分类号： | H01J1/30;H01J9/02 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 361006 福建省厦*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明提供一种薄膜型阴栅极及其制备方法，它依次包括玻璃基板，金属下电极，绝缘层及金属上电极，其特征是金属下电极采用双层金属薄膜复合电极，与玻璃基片附着性强的金属在下，导电性强的金属在上，绝缘层采用非晶态氧化物介质膜，金属上下电极采用铬(钛)－铜双层复合电极，上电极铜膜的宽度和厚度均为铬(钛)膜的1/3－1/4。采用丝网印刷和化学处理的方法形成绝缘层电极及金属上电极与金属下电极层状交叉，中间隔离的薄膜型阴栅极。本发明具有制备工艺简单、材料成本低、成品率高等优点，适用于用作场致发射平板显示器的电子发射阴栅极。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜 栅极 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1、一种薄膜型阴栅极，它依次包括玻璃基板，金属下电极，绝缘层及金属上电极，其特征是金属下电极采用双层金属薄膜复合电极，与玻璃基板附着性强的金属在下，导电性强的金属在上，绝缘层采用非晶态氧化物介质膜，金属上电极采用铬(钛)-铜双层薄膜复合电极。
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