[发明专利]锗酸镓锶压电晶体的坩埚下降法生长方法无效
| 申请号： | 03115421.2 | 申请日： | 2003-02-14 |
| 公开（公告）号： | CN1434152A | 公开（公告）日： | 2003-08-06 |
| 发明（设计）人： | 徐家跃;周娟;武安华;华王祥;林雅芳;陆宝亮;童健;范世 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海硅酸盐研究所 |
| 主分类号： | C30B15/00 | 分类号： | C30B15/00;C30B29/32 |
| 代理公司： | 上海智信专利代理有限公司 | 代理人： | 潘振甦 |
| 地址： | 200050*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种锗酸镓锶晶体的坩埚下降法生长方法，属于单晶生长领域。特征在于：初始原料按Sr3Ga2Ge4O14的化学组成均匀混合，在1130－1180℃预烧8－12小时，通过固相反应以去除CO2；将取向确定的籽晶放在坩埚底部，再装入合成好的原料，然后将坩埚置于下降法生长炉中；在1400－1500℃以上熔化原料及籽晶顶部，生长界面温梯维持在30～40℃/cm，坩埚下降速度小于3mm/h。本方法温场稳定，工艺设备简单，操作方便，可将单只或多只坩埚放入下降炉内，同时生长不同形状和尺寸的单晶。 | ||
| 搜索关键词： | 锗酸镓锶 压电 晶体 坩埚 下降 生长 方法 | ||
【主权项】：
1.一种锗酸镓锶压电晶体的坩埚下降法生长方法，包括粉料的预烧合成、接种生长，其特征在于：(1)初始原料SrCO3、GeO2和Ga2O3，按Sr3Ga2Ge4O14化学式配料混合均匀；(2)混合粉料在1130-1180℃经8-12小时固相反应；(3)将晶种和合成料先后放入铂坩埚，并密封坩埚；(4)坩埚置于下降炉内接种、生长，炉温控制在1400-1500℃，生长界面温度梯度为30～40℃/cm，坩埚下降速率≤3mm/h。
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