[发明专利]一种同时形成图形化埋氧和器件浅沟槽隔离的方法无效
| 申请号： | 03115426.3 | 申请日： | 2003-02-14 |
| 公开（公告）号： | CN1431701A | 公开（公告）日： | 2003-07-23 |
| 发明（设计）人： | 董业民;王曦;陈猛;王湘;陈静;林梓鑫 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 主分类号： | H01L21/76 | 分类号： | H01L21/76;H01L21/84 |
| 代理公司： | 上海智信专利代理有限公司 | 代理人： | 潘振甦 |
| 地址： | 200050 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提出了一种同时形成图形化埋氧和器件浅沟槽隔离的方法。其特征在于将图形化绝缘体上的硅(SOI)材料的制备工艺和半导体器件的浅沟槽隔离(STI)工艺结合起来；在形成STI的过程中完成图形化SOI材料的制备。主要工艺步骤包括依次包括在半导体衬底中光刻出将形成的SOI区域及其四周的沟槽；离子注入；高温退火；填充沟槽，CMP抛光，腐蚀Si3N4掩模等。本发明的方法消除了常规图形化SOI材料中体硅与掩埋绝缘层之间过渡区的应力，改善了图形化SOI材料的质量；同时减少了器件STI隔离的工艺步骤。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 同时 形成 图形 化埋氧 器件 沟槽 隔离 方法 | ||
【主权项】：
1.一种同时形成图形化埋氧和器件浅沟槽隔离的方法，工艺步骤，其特征在于：图形化材料的制备和器件浅沟槽隔离工艺相结合，在实现浅沟槽隔离的同时完成图形化SOI材料的制备；具体工艺步骤是：(a)光刻出要进行离子注入以形成SOI的区域，并在该区域的四周刻蚀出沟槽；(b)离子注入，注入离子的能量为25～200keV，剂量为1×1017～2.0×1018cm-2；注入时，衬底的温度为400～700℃；(c)离子注入后进行高温退火，退火温度为1200～1375℃；退火时间为1～24小时；退火气氛为氮气或氩气与氧气的混合气体，其中氧气的含量为0.5％～20％；(d)在沟槽中填充SiO2或多晶硅，采用CMP工艺使衬底的表面平坦化；用热磷酸腐蚀除去Si3N4后接着进行常规的CMOS工艺流片，完成所设计的器件或电路。
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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