[发明专利]注氧隔离技术制备全介质隔离的硅量子线的方法无效
| 申请号： | 03115427.1 | 申请日： | 2003-02-14 |
| 公开（公告）号： | CN1431679A | 公开（公告）日： | 2003-07-23 |
| 发明（设计）人： | 董业民;王曦;陈猛;陈静;王湘;张继华;易万兵;金波 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00 |
| 代理公司： | 上海智信专利代理有限公司 | 代理人： | 潘振甦 |
| 地址： | 200050 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种注氧隔离(SIMOX)技术制备全介质隔离的硅量子线的方法。本发明的特征是将SOI衬底材料的制备工艺与其后形成硅量子线的牺牲热氧化工艺结合在一起；在制备SOI衬底材料的过程中完成硅量子线的制备，具体包括三个步骤：(a)确定量子线区域并在其四周光刻出沟槽；(b)离子注入；(c)高温退火。本发明在减少工艺步骤、降低成本的同时提高了硅量子线的质量。所制备的硅量子线适合于制造单电子晶体管(SET)等固体纳米器件。 | ||
| 搜索关键词： | 隔离 技术 制备 介质隔离 量子 方法 | ||
【主权项】：
1.一种制备全介质隔离硅量子线的方法，其特征在于SOI衬底材料的制备工艺与硅量子线制备工艺结合在一起，利用SOI必需的高温退火过程，在形成掩埋绝缘层的退火过程形成硅量子线；具体工艺步骤是：(a)确定量子线区域并在其四周光刻出沟槽，沟槽的宽度为0.2～2μm，深度为0.1～2μm；沟槽包围的区域为将要形成硅量子线的区域，其宽度为0.1～1μm，长度为1～1000μm；(b)注入离子的能量为30～300keV，剂量为1×1017～2.5×1018cm-2；离子注入时，衬底温度为400～700℃；(c)离子注入后进行高温退火，退火温度为1200～1375℃；退火的气氛为氩气或氮气，其中含有0.5％～80％氧气；退火的时间为1～24个小时。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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