[发明专利]双极型集成电路设计中的版图/电路提取方法

摘要

本发明涉及一种双极型集成电路设计中版图/电路提取方法。由于双极型集成电路工艺制造上的复杂性和元件品种的多样性，导致双极型集成电路版图/电路提取工作技术上的特殊困难，而该项提取工作尤为对集成电路设计正确性进行验证的关键所在。本发明首先提出了双极型集成电路版图关系图和元件关系图，并建立了两者之间的映射关系和方法。以该关系和方法为基础，提出了双极型集成电路元件识别表。发明还提出了在元件识别表基础上确立了双极型集成电路版图/电路提取的步骤，并把这些步骤纳入计算机程序，形成了电路识别与提取的框图。本发明具有通用性，应用范围涵盖了所有的双极型集成电路和MOS集成电路；并具有周密性。

主权项

1、一种双极型集成电路设计中的版图/电路提取方法，其特征包括：步骤1：版图数据输入，从外界获得双极型集成电路的版图数据信息；步骤2：数据预处理，对输入的数据和图形进行排序和区间划分等预处理，为下一步的图形和数据检索创造必要和充分条件；步骤3：图形运算，对版图的掩膜图形信息进行拓扑运算；步骤4：从版图关系图至元件关系图的识别，按照双极型集成电路的版图关系图与元件关系图的元件识别表的要点自动运作，所述的双极型集成电路的版图关系图与元件关系图的元件识别表是指：(1)一个版图子块有：e极包含于b极，b极包含于c极；e极的引线孔h的有向线段指向N+发射区，N+发射区的有向线段指向P+基区，P+基区的有向线段指向I隔离区；b极引线孔h的有向线段指向P+基区，P+基区的有向线段指向I隔离区；c极引线孔h的有向线段指向N+发射区，N+发射区的有向线段指向I隔离区，则以上元件关系图描述了一个NPN三极管；(2)一个版图子块有：e极包含于c极，c极包含于b极；e极引线孔h的有向线段指向P+基区，P+基区的有向线段指向N+发射区，N+发射区的有向线段指向P+基区，P+基区的有向线段指向I隔离区；b极引线孔h的有向线段指向N+发射区，N+发射区的有向线段指向I隔离区；c极引线孔h的有向线段指向P+基区，P+基区的有向线段指向I隔离区，则以上元件关系图描述一个横向PNP三极管；(3)一个版图子块有：b极包含于e极，c极在拓扑上与e极无关；e极引线孔h的有向线段指向P+基区，P+区的有向线段指向N+发射区，N+发射区的有向线段指向I隔离区；b极引线孔h的有向线段指向P+基区，P+基区的有向线段指向I隔离区；c极引线孔h与e极无关，则以上元件关系图描述一个纵向PNP三极管；(4)一个版图子块有：p极引线孔h的有向线段指向P+基区，同时有另一N+发射区的有向线段指向该P+基区，而该P+基区的有向线段指向I隔离区；n极引线孔h的有向线段指向N+发射区，N+发射区的有向线段指向I隔离区，则以上元件关系图描述一个发射极开路二极管；(5)一个版图子块有：p极引线孔h的有向线段指向P+基区，P+基区的有向线段指向I隔离区；n极引线孔h的有向线段指向N+发射区，N+发射区的有向线段指向P+基区，P+基区的有向线段指向I隔离区；同时有另一N+发射区的有向线段指向I隔离区，则以上元件关系图描述一个集电极开路二极管；(6)一个版图子块有：p极引线孔h的有向线段指向I隔离区，p极引线孔h的另一有向线段指向AL金属连线；n极引线孔h的有向线段指向N+发射区，N+发射区的有向线段指向P+基区，P+基区的有向线段指向I隔离区；无极引线孔h的有向线段指向N+发射区，N+发射区的有向线段指向I隔离区；AL金属连线与P+基区和N+发射区相交；同时无极引线孔h的另一有向线段指向AL金属连线，则以上元件关系图描述一个B-C短接的二极管；(7)一个版图子块有：p极引线孔h的有向线段指向P+基区，P+基区的有向线段指向I隔离区；n极引线孔h的有向线段指向N+发射区，N+发射区的有向线段指向I隔离区；无极引线孔h的有向线段指向N+发射区，N+发射区的有向线段指向P+基区，P+基区的有向线段指向I隔离区；同时，p极引线孔h的另一有向线段指向AL金属连线，而无极引线孔h的另一有向线段亦指向AL金属连线；AL金属连线与P+基区和N+发射区相交，则以上元件关系图描述一个B-E短接的二极管；(8)一个版图子块有：n极引线孔h的有向线段指向P+基区，P+基区的有向线段指向I隔离区；p极引线孔h的有向线段指向N+发射区，N+发射区的有向线段指向P+基区，P+基区的有向线段指向I隔离区；无极引线孔h的有向线段指向N+发射区，N+发射区的有向线段指向I隔离区；另外，p极引线孔h的有向线段指向AL金属连线；无极引线孔h的有向线段指向AL金属连线；AL金属连线与两个N+发射区相交，则以上元件关系图描述一个C-E短接的二极管；(9)一个版图子块有：p极引线孔h的有向线段指向P+基区，P+基区的有向线段指向I隔离区；n极引线孔h的有向线段指向N+发射区，N+发射区的有向线段指向I隔离区，则以上元件关系图描述一个单独BC结的二极管；(10)一个版图子块有：p极引线孔h与P+基区相交，P+基区的有向线段指向I隔离区；n极引线孔h的有向线段指向N+发射区，N+发射区的有向线段指向P+基区，P+基区的有向线段指向I隔离区；n极引线孔h与P+基区相交，则以上元件关系图描述一个齐纳二极管；(11)一个版图子块有：引线孔h的有向线段指向P+基区，P+基区的有向线段指向I隔离区；另一引线孔h的有向线段指向P+基区；N+发射区有两个有向线段，其中一个有向线段指向P+基区，另一个有向线段指向I隔离区，则以上元件关系图描述一个基区沟道电阻；(12)一个版图子块有：引线孔h的有向线段指向P+基区，P+基区的有向线段指向I隔离区；另一引线孔h的有向线段指向P+基区；P+基区的有向线段指向I隔离区，则以上元件关系图描述一个基区扩散电阻；(13)一个版图子块有：引线孔h的有向线段指向N+发射区，N+发射区的有向线段指向P+基区，P+基区的有向线段指向I隔离区；另一引线孔h的有向线段指向N+发射区；N+发射区的有向线段指向P+基区，P+基区的有向线段指向I隔离区，则以上元件关系图描述一个发射区扩散电阻；步骤5：提取各种二极管，按上述双极型集成电路元件识别表的要点自动运作；步骤6：提取各种晶体管，按上述双极型集成电路元件识别表的要点自动运作；步骤7：提取各种电阻，按上述双极型集成电路元件识别表的要点自动运作；步骤8：双极型集成电路版图/电路提取的结果输出，输出结果为从双极型集成电路版图信息中提取的电路信息网表。