[发明专利]检测N型重掺硅单晶片或锭晶格缺陷的方法

摘要

一种关于检测掺杂浓度为≥1×10¹⁵cm^－3的N型重掺(砷、锑、磷)或轻掺的硅单晶片或锭晶格缺陷的方法。该方法步骤是(1)去除表面的自然氧化层；(2)配制硝酸铜和氢氟酸腐蚀混合液及进行择优腐蚀；(3)用碱溶液除去沉积在表面的铜膜；(4)用肉眼或光学显微镜观察经腐蚀的硅单晶片或锭的表面，以检查硅单晶片或锭的晶格缺陷。该方法能清晰灵敏，可重复的显示出硅片的晶格缺陷，省时，提高工作效率，试剂用量少，应用极为经济与简便。

主权项

1、一种检测N型重掺硅单晶片或锭晶格缺陷的方法，包括下列步骤：(1)去除硅单晶片或锭表面的自然氧化层采用25-49wt％氢氟酸，浸泡时间2-5分钟；(2)配制硝酸铜和氢氟酸腐蚀混合液及进行择优腐蚀腐蚀混合液是由0.001-0.05摩尔/升的硝酸铜水溶液与为硝酸铜水溶液10-50％体积的氢氟酸配制，腐蚀混合液中铜离子浓度为64-3200毫克/升，腐蚀温度为25-35℃，时间为20-25分钟；(3)、用碱溶液除去沉积在硅单晶片或锭表面的铜膜采用碱液浓度1-2wt％，温度25-35℃，时间1-5分钟；(4)、用肉眼或光学显微镜观察经腐蚀的硅单晶片或锭的表面。