[发明专利]高纯铝单层晶体凝固提纯方法无效
| 申请号： | 03115563.4 | 申请日： | 2003-02-27 |
| 公开（公告）号： | CN1438339A | 公开（公告）日： | 2003-08-27 |
| 发明（设计）人： | 张佼;孙宝德;何博 | 申请（专利权）人： | 上海交通大学 |
| 主分类号： | C22B21/06 | 分类号： | C22B21/06 |
| 代理公司： | 上海交达专利事务所 | 代理人： | 王锡麟 |
| 地址： | 200030*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种高纯铝单层晶体凝固提纯方法属于铸造冶金领域。本发明在偏析法提纯纯铝或其他轻金属时，利用真空下的熔炼和保温，以及纯金属凝固时的结晶特点，在扁平结晶平台中，通过调整结晶槽中的铝液厚度、生长速度以及固液界面前沿的温度梯度，控制晶体生长为单层平行排列的胞状晶体，将溶质元素的三维复杂分布转化为近二维分布，有效控制杂质元素的排出。本发明降低了提纯过程中氧原子的侵入，有利于控制界面以平面推进，提高杂质元素的排除效率。在垂直生长方向上，并排的单个胞晶体纯度均匀，在生长方向上，杂质元素浓度分布更接近理论的情况，杂质元素大多富集于尾部，成型的铝锭为板状，可采用轧机刀具切断，减少了污染，提高了生产效率。 | ||
| 搜索关键词： | 高纯 单层 晶体 凝固 提纯 方法 | ||
【主权项】：
1、一种高纯铝单层晶体凝固提纯方法，其特征在于：在偏析法提纯纯铝或其他轻金属时，利用真空下的熔炼和保温，以及纯金属凝固时的结晶特点，在扁平的结晶平台中，通过调整结晶槽中的铝液厚度、生长速度以及固液界面前沿的温度梯度，控制晶体生长为单层平行排列的胞状晶体，将溶质元素的三维复杂分布转化为近二维分布，有效控制杂质元素的排出。
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