[发明专利]热探针的监控晶圆片的制成方法有效
| 申请号： | 03115709.2 | 申请日： | 2003-03-10 |
| 公开（公告）号： | CN1531045A | 公开（公告）日： | 2004-09-22 |
| 发明（设计）人： | 吴金刚;刘玉红;王粒子;黄晋德 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66;H01L21/20;H01L21/324 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所 | 代理人： | 陈亮 |
| 地址： | 2012*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种热探针(thermo－probe)的监控晶圆片的制成方法，该热探针用以测试一般晶圆片的品质，该方法包含在加热炉中，在P型晶圆片上成长多晶硅膜；然后使该多晶硅晶圆片在1025℃的温度下，在有/无氧化下，退火20秒。 | ||
| 搜索关键词： | 探针 监控 晶圆片 制成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种热探针的监控晶圆片的形成方法，该热探针用以测试一般晶圆片的品质，该方法包含：在加热炉中，在P型晶圆片上成长多晶硅膜；和使该晶圆片在1025℃的温度下退火20秒。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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