[发明专利]低熔点熔体作密封物质防止氧化铅挥发的方法无效
| 申请号： | 03115775.0 | 申请日： | 2003-03-13 |
| 公开（公告）号： | CN1442390A | 公开（公告）日： | 2003-09-17 |
| 发明（设计）人： | 曾新华;姚忻 | 申请（专利权）人： | 上海交通大学 |
| 主分类号： | C04B35/497 | 分类号： | C04B35/497;C04B35/653;B01J19/16 |
| 代理公司： | 上海交达专利事务所 | 代理人： | 毛翠莹 |
| 地址： | 200030*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种低熔点熔体作密封物质防止氧化铅挥发的方法，采用盐类或氧化物类等难挥发性低熔点物质熔化后形成的熔体来密封整个系统，将密封物质装入煅烧小坩埚外的浅形大坩埚中，并用密封坩埚和密封盖盖在小坩埚上，形成双层密封系统，升温到密封物质完全熔化形成密封后，再继续升温进行铅基铁电材料制备。本发明能有效防止铅基铁电材料制备过程中高温下氧化铅组分的挥发，并实现加料或过程中监测等工艺操作的控制。 | ||
| 搜索关键词： | 熔点 熔体作 密封 物质 防止 氧化铅 挥发 方法 | ||
【主权项】：
1、一种低熔点熔体作密封物质防止氧化铅挥发的方法，其特征在于具体包括如下步骤：1)选择熔点在500～1000℃之间，而沸点较高，在煅烧温度下难以挥发的盐类或氧化物类的粉料作密封物质(5)；2)在浅形大坩埚(2)中装上密封物质(5)，并用密封盖(6)和密封坩埚(3)盖在加有预先配好的含铅粉料(4)的小坩埚(1)上，形成双层密封系统；3)升温到略高于密封物质(5)的熔点并保温，待密封物质粉料完全熔化形成密封后，继续升温到实验所需的温度，煅烧完成后随炉冷却到室温；4)揭开密封坩埚(3)和密封盖(6)即可拿出煅烧后的含铅物质。
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