[发明专利]双面容器电容器的制造方法无效
| 申请号： | 03115795.5 | 申请日： | 2003-03-14 |
| 公开（公告）号： | CN1531063A | 公开（公告）日： | 2004-09-22 |
| 发明（设计）人： | 陈国庆;宁先捷;黄河 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/822 | 分类号： | H01L21/822;H01L21/28;H01L21/318 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所 | 代理人： | 陈亮 |
| 地址： | 2012*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明揭示一种电容器的制造方法，包含以下步骤：在半导体基底中形成一储存节点；在半导体基底上形成一屏蔽层；在屏蔽层上沉积一基材；蚀刻基材至半导体基底以形成一电容器孔；将蚀刻后的基材的表面粗糙化；在基材的粗糙化表面上沉积电容器的底电极；抛光底电极的顶表面；蚀刻余留的基材；沉积介电材料层于底电极上；及在介电材料层上沉积电容器的顶电极。 | ||
| 搜索关键词： | 双面 容器 电容器 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种电容器的制造方法，包含以下步骤：在半导体基底中形成一储存节点；在该半导体基底上形成一屏蔽层；在该屏蔽层上沉积一基材；蚀刻该基材至该半导体基底以形成一电容器孔；将蚀刻后的基材的表面粗糙化；在该基材的粗糙化表面上沉积电容器的底电极；抛光该底电极的顶表面；蚀刻余留的基材；沉积介电材料层于底电极上；及在该介电材料层上沉积电容器的顶电极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
