[发明专利]一种利用磁场控制酞菁类有机薄膜内分子取向的方法无效
| 申请号： | 03116009.3 | 申请日： | 2003-03-25 |
| 公开（公告）号： | CN1439511A | 公开（公告）日： | 2003-09-03 |
| 发明（设计）人： | 季振国;向因 | 申请（专利权）人： | 浙江大学 |
| 主分类号： | B29C71/04 | 分类号： | B29C71/04 |
| 代理公司： | 杭州求是专利事务所有限公司 | 代理人： | 韩介梅 |
| 地址： | 310027 浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 一种利用在磁场下热处理控制酞菁类有机薄膜内分子取向性的方法，其特征是把酞菁类有机薄膜沉积在清洗后的衬底上，然后放入强磁场中进行热处理。酞菁类分子平面在磁场的作用下向同一方向发生偏转，导致薄膜内分子取向度的提高，由此可以改善酞菁类有机薄膜的晶体质量，改善薄膜的光电性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 利用 磁场 控制 酞菁类 有机 薄膜 分子 取向 方法 | ||
【主权项】：
1.利用磁场控制酞菁类有机薄膜内分子取向的方法，其特征是包括以下步骤：1)清洗衬底，除去表面的油脂和污物。2)用真空蒸发沉积的方法在清洗后的衬底上沉积一层酞菁类薄膜，蒸发源温度为250-320℃。3)将经蒸发沉积的薄膜放置于磁场中间进行热处理，热处理温度为50-250℃。
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