[发明专利]三维取向氧化锌薄膜的制备方法无效
申请号: | 03116798.5 | 申请日: | 2003-05-08 |
公开(公告)号: | CN1450599A | 公开(公告)日: | 2003-10-22 |
发明(设计)人: | 王卓;钱雪峰;朱子康 | 申请(专利权)人: | 上海交通大学 |
主分类号: | H01L21/208 | 分类号: | H01L21/208;C23C18/00;C01G9/02 |
代理公司: | 上海交达专利事务所 | 代理人: | 毛翠莹 |
地址: | 200030*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 一种三维取向氧化锌薄膜的制备方法,首先将锌盐、氨水和铵盐按一定比例溶于去离子水,制备成薄膜生长反应液,然后将处理过的基片浸入制备好的薄膜生长反应液中,在预浸泡30~60分钟后,升温至94~97℃,反应30~60分钟即可获得致密的具有三维取向排列的氧化锌薄膜。本发明方法操作简单、成本低,生产周期短,制备的氧化锌薄膜由三维排列的微米棒组成,平均粒径为200nm,长度5μm。 | ||
搜索关键词: | 三维 取向 氧化锌 薄膜 制备 方法 | ||
【主权项】:
1、一种三维取向氧化锌薄膜的制备方法,其特征在于包括如下步骤:①薄膜生长反应液的制备:将锌盐、氨水和铵盐溶于去离子水,制备成薄膜生长反应液,每100ml水溶液中含锌盐0.01mol、25%(质量比)氨水5ml和铵盐0.002mol;②基片的预处理:将基片浸入到沸腾的98%的浓硫酸中5~10小时,然后浸入到丙酮溶液中超声30~60分钟,再用去离子水冲洗后将基片在真空烘箱中晾干待用。③三维取向氧化锌薄膜的合成:将基片浸润到薄膜生长反应溶液中30~60分钟,然后升温进行反应,反应温度94~97℃,升温速率10~20度/分,反应时间30~60分钟,反应结束后快速冷却,然后将基片放于去离子水中超声1~2分钟,用去离子水冲洗后自然晾干,即可获得三维取向氧化锌薄膜。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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