[发明专利]铝酸锂和镓酸锂晶体的生长方法无效
| 申请号： | 03116833.7 | 申请日： | 2003-05-09 |
| 公开（公告）号： | CN1450208A | 公开（公告）日： | 2003-10-22 |
| 发明（设计）人： | 徐军;杨卫桥;周圣明;彭观良;司继良;李红军;周国清 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海光学精密机械研究所 |
| 主分类号： | C30B29/24 | 分类号： | C30B29/24;C30B11/00 |
| 代理公司： | 上海新天专利代理有限公司 | 代理人： | 张泽纯 |
| 地址： | 201800 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种铝酸锂和镓酸锂晶体的生长方法，其特点是采用碳酸锂(Li2CO3)和氧化铝(Al2O3)或氧化镓(Ga2O3)为原料，按照一定比例配料，压制成块，直接装入坩埚，坩埚密封后置于钟罩式真空电阻炉内，用垂直温梯法生长晶体。原料中采用碳酸锂(Li2CO3)，使得密封坩埚内是含CO2和O2的局部氧化气氛，这样既避免了炉内氧化气氛对发热体和保温材料的氧化污染，又有效克服了熔体组分因为还原气氛而挥发的问题，可以生长出作为InN－GaN基蓝光衬底的大面积的铝酸锂和镓酸锂晶体。 | ||
| 搜索关键词： | 铝酸锂 镓酸锂 晶体 生长 方法 | ||
【主权项】：
1、一种铝酸锂和镓酸锂晶体的生长方法，其特征在于它是使用碳酸锂(Li2CO3)和氧化铝(Al2O3)或氧化镓(Ga2O3)为原料，按照一定比例配料，压制成块，直接装人坩埚，坩埚密封后置入钟罩式真空电阻炉内，采用垂直温梯法生长的，生长过程中密封坩埚内是含CO2和O2的局部氧化气氛。
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