[发明专利]一种垂直型大功率场效应晶体管单元结构有效
| 申请号： | 03116934.1 | 申请日： | 2003-05-15 |
| 公开（公告）号： | CN1450657A | 公开（公告）日： | 2003-10-22 |
| 发明（设计）人： | 徐小诚;缪炳有;陈志伟;汪激扬 | 申请（专利权）人： | 上海集成电路研发中心有限公司;上海华虹（集团）有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海正旦专利代理有限公司 | 代理人： | 陶金龙,陆飞 |
| 地址： | 201203 上海*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明为一种垂直型N沟道金属－氧化物－半导体大功率场效应晶体管单元结构。采用N型硅外延片上刻蚀沟槽的方法，使场效应晶体管的栅氧层和金属钨栅电极位于硅外延层的沟槽之中，金属钨栅与硅片表面垂直，场效应晶体管导通工作状态下，电流流动的方向是从硅片底部的漏电极出发，流经反型沟道区，最终到达源电极，电流流动的方向是与硅片的表面方向垂直。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 垂直 大功率 场效应 晶体管 单元 结构 | ||
【主权项】：
1、一种垂直型大功率场效应晶体管单元结构，其特征在于外延层由两层电阻率不同的N型薄层构成，其中电阻率低的第一外延层与硅衬底相邻，第二层外延层上刻蚀有沟槽，金属钨栅电极置于第二层外延层的沟槽之中；金属钨栅与硅片表面垂直，电流流动的方向与硅片的表面方向垂直。
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