[发明专利]高活性微米纯铅粉制造技术无效

专利信息
申请号: 03117360.8 申请日: 2003-02-24
公开(公告)号: CN1524652A 公开(公告)日: 2004-09-01
发明(设计)人: 竺培显;孙勇;方吕昆;王勋业;李中揆 申请(专利权)人: 昆明理工大学
主分类号: B22F9/14 分类号: B22F9/14
代理公司: 昆明正原专利代理有限责任公司 代理人: 赵云
地址: 650093云南省昆明市一二*** 国省代码: 云南;53
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摘要: 高活性微米纯铅粉的制备方法,本发明属于高活性金属微米粉末的制备方法,特别指的是高活性微米纯铅粉的制备。本发明所述的铅粉按以下步骤制得,用真空机组对反应室抽真空,再充入保护气体,在运动电极与金属铅之间产生电弧,对铅蒸气快速冷凝,沉降至收粉器中。本方法工艺流程短,整个反应在负压状态下进行,不会造成环境污染,工艺条件易控制,从而可实现对铅粉粒径和含氧量的有效控制。
搜索关键词: 活性 微米 铅粉 制造 技术
【主权项】:
1、一种高活性微米纯铅粉的制备方法,其特征是工艺步骤如下:用真空机组对反应室抽真空,再充入保护气体,在运动电极与金属铅之间产生电弧,对铅蒸气快速冷凝,沉降至收粉器中。
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