[发明专利]基于晶体管栅氧化层击穿特性的可编程门阵列有效
申请号: | 03117373.X | 申请日: | 2003-02-28 |
公开(公告)号: | CN1434513A | 公开(公告)日: | 2003-08-06 |
发明(设计)人: | 彭泽忠 | 申请(专利权)人: | 彭泽忠 |
主分类号: | H01L27/04 | 分类号: | H01L27/04;H01L29/78;H01L23/52;H01L21/82 |
代理公司: | 绵阳市蜀北专利有限公司 | 代理人: | 杨荫茂 |
地址: | 621000 四川省绵阳市高*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | 本发明披露了一种现场可编程门阵列(FPGA)单元,它适用于包括列位线、读位线和行字线结构的FPGA阵列中。此单元包含一个电容、一个选择晶体管和一个开关;上述电容有两端,它的一端连接到一条列位线,另一端连接到一个开关控制节点,电容两端间由电介质构成;上述选择晶体管包含一个源、一个栅和一个漏,它的栅连接到读位线,源连接到开关控制节点,漏连接到行字线;上述开关由开关控制节点控制。 | ||
搜索关键词: | 基于 晶体管 氧化 击穿 特性 可编程 门阵列 | ||
【主权项】:
1、适用于具有列位线,读位线和行字线的FPGA阵列的现场可编程门阵列(FPGA)单元,其特征是这种单元含有:一个电容器,它具有第一终端和第二终端,第一终端连接到列位线,第二终端连接到一个开关控节点,上述电容器的上述第一终端和第二终端之间有一个电介质层;一个选择晶体管,它有一个栅,一个源,和一个漏,上述栅连接到上述读位线,上述源连接到上述开关控制节点,上述漏连接到一个行字线;一个开关,它被上述开关控制节点控制。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的