[发明专利]基于晶体管栅氧化层击穿特性的可编程门阵列有效

专利信息
申请号: 03117373.X 申请日: 2003-02-28
公开(公告)号: CN1434513A 公开(公告)日: 2003-08-06
发明(设计)人: 彭泽忠 申请(专利权)人: 彭泽忠
主分类号: H01L27/04 分类号: H01L27/04;H01L29/78;H01L23/52;H01L21/82
代理公司: 绵阳市蜀北专利有限公司 代理人: 杨荫茂
地址: 621000 四川省绵阳市高*** 国省代码: 四川;51
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摘要: 发明披露了一种现场可编程门阵列(FPGA)单元,它适用于包括列位线、读位线和行字线结构的FPGA阵列中。此单元包含一个电容、一个选择晶体管和一个开关;上述电容有两端,它的一端连接到一条列位线,另一端连接到一个开关控制节点,电容两端间由电介质构成;上述选择晶体管包含一个源、一个栅和一个漏,它的栅连接到读位线,源连接到开关控制节点,漏连接到行字线;上述开关由开关控制节点控制。
搜索关键词: 基于 晶体管 氧化 击穿 特性 可编程 门阵列
【主权项】:
1、适用于具有列位线,读位线和行字线的FPGA阵列的现场可编程门阵列(FPGA)单元,其特征是这种单元含有:一个电容器,它具有第一终端和第二终端,第一终端连接到列位线,第二终端连接到一个开关控节点,上述电容器的上述第一终端和第二终端之间有一个电介质层;一个选择晶体管,它有一个栅,一个源,和一个漏,上述栅连接到上述读位线,上述源连接到上述开关控制节点,上述漏连接到一个行字线;一个开关,它被上述开关控制节点控制。
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