[发明专利]用高温氧化方法制备透明低阻/高阻复合膜无效
| 申请号： | 03117783.2 | 申请日： | 2003-04-30 |
| 公开（公告）号： | CN1450611A | 公开（公告）日： | 2003-10-22 |
| 发明（设计）人： | 冯良桓;雷智 | 申请（专利权）人： | 四川大学 |
| 主分类号： | H01L21/316 | 分类号： | H01L21/316;H01L21/473;C23C8/12 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 610015*** | 国省代码： | 四川;51 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 高温氧化方法制备透明低阻/高阻复合膜，本项发明所属域为新型光电子材料。本发明主要是采用新的制作工艺，改善太阳能电池所需透明电极的性能，提高太阳能电池的转换效率。在作CdS/CdTe电池过程中，为了提高对紫外光的利用，需要降低CdS薄膜的厚度，同时也为了增强膜层之间的结合力，改善电池的填充因子，需要在透明导电薄膜与CdS层之间增加一层透明高阻过渡层薄膜。用高温氧化方法制备透明低阻/高阻复合膜，一次性将透明导电薄膜处理成透明低阻/高阻复合膜，而无需再用物理或化学方法沉积一层透明高阻膜。该发明减化了生产工艺，大幅降低产品成本。该发明还可用于液晶显示器和塑料显示器的透明电极。 | ||
| 搜索关键词： | 高温 氧化 方法 制备 透明 复合 | ||
【主权项】：
1.一个使用高温氧化方法制备透明低阻/高阻复合膜的方法。其特征是，在透明低电阻膜(金属氧化物，TCO)的基础上，用高温氧化的方法，让氧离子向透明低电阻薄膜内扩散，对透明低阻膜内的氧缺位进行补偿，从而形成低阻高阻复合膜。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于四川大学，未经四川大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/03117783.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：烧伤膏及其制作工艺
- 下一篇：外用无痛疏奶无痛断奶剂
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
