[发明专利]一种保护电极基体耐高温熔体侵蚀的陶瓷涂层及其制备方法无效
申请号: | 03118423.5 | 申请日: | 2003-01-07 |
公开(公告)号: | CN1425794A | 公开(公告)日: | 2003-06-25 |
发明(设计)人: | 程旭东 | 申请(专利权)人: | 武汉理工大学 |
主分类号: | C23C4/10 | 分类号: | C23C4/10;H05B7/06 |
代理公司: | 湖北武汉永嘉专利代理有限公司 | 代理人: | 张安国 |
地址: | 430070 *** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | 一种保护电极基体耐高温熔体侵蚀的陶瓷涂层及制备方法。本发明的陶瓷涂层为硅酸锆或高纯度锆英石微粉制的团聚型复合陶瓷粉末涂层,或者加有二硅化钼底层,或者用硅酸锆或高纯度锆英石微粉制的团聚型复合陶瓷粉末材料作为面层,以硅酸锆或高纯度锆英石微粉为主要成分加以二硅化钼作为配料制备成不同组份的团聚球型复合粉末作为中间过渡层。采用热喷涂工艺,在一种钼合金或其它高温合金制成的电极基体表面制备耐高温熔体侵蚀涂层。涂层厚度小于0.7mm,采用该涂层结构的钼电极具有高温自封孔效果,抗熔体侵蚀能力与使用寿命可提高3~4倍。且热喷涂制备陶瓷涂层方法,具有工艺相对简单,制备成本低,涂层性能稳定等优点。 | ||
搜索关键词: | 一种 保护 电极 基体 耐高温 侵蚀 陶瓷 涂层 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
1、一种保护电极基体耐高温熔体侵蚀的涂层,其特征在于所述的涂层为硅酸锆或高纯度锆英石微粉制的团聚球型粉末喷涂陶瓷涂层、或者加有二硅化钼底层、或者是包括厚度小于0.1mm二硅化钼底层,和按a、b、c、d组分顺序等厚度喷涂的复合型粉末层,复合型粉末按1000克计的配比为:a)硅酸锆或锆英石ZrO2·SiO2350~390克,二硅化钼MoSi2590~630克,两种物料之和≥980克,粘结剂补足余量;b)硅酸锆或锆英石ZrO2·SiO2550~590克,二硅化钼MoSi2390~430克,两种物料之和≥980克,粘结剂补足余量;c)硅酸锆或锆英石ZrO2·SiO2750~790克,二硅化钼MoSi2190~230克,两种物料之和≥980克,粘结剂补足余量;d)硅酸锆或锆英石ZrO2·SiO2≥980克,粘结剂补足余量。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C4-00 熔融态覆层材料喷镀法,例如火焰喷镀法、等离子喷镀法或放电喷镀法的镀覆
C23C4-02 .待镀材料的预处理,例如为了在选定的表面区域镀覆
C23C4-04 .以镀覆材料为特征的
C23C4-12 .以喷镀方法为特征的
C23C4-18 .后处理
C23C4-14 ..用于长形材料的镀覆
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
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C23C4-04 .以镀覆材料为特征的
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