[发明专利]多孔碳涂覆硅胶整体柱及其制法和用途无效
申请号: | 03118480.4 | 申请日: | 2003-01-20 |
公开(公告)号: | CN1431498A | 公开(公告)日: | 2003-07-23 |
发明(设计)人: | 冯钰锜;施治国;达世禄 | 申请(专利权)人: | 武汉大学 |
主分类号: | G01N30/56 | 分类号: | G01N30/56;G01N30/60 |
代理公司: | 武汉天力专利事务所 | 代理人: | 程祥,冯卫平 |
地址: | 430072*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | 一种多孔碳涂覆硅胶整体柱,它以多孔硅胶整体柱为载体,由碳分布在表面而得到的表面为碳的整体柱材料。该整体柱中有通透孔和骨架孔,通透孔之间相互贯穿,交联形成网络通道。骨架孔位于整体柱骨架表面或内部,其大小决定了整体柱比表面积的大小,因而决定了其用做分离材料时作用位点的多少和用做储能材料、电极材料时储存能量的多少。该整体柱材料由碳涂覆在硅胶整体柱表面而制得,具体方法是:将有机物吸附或键合在硅胶整体柱表面,尔后将有机物以适当的方式碳化在整体柱表面而得到的碳涂覆硅胶整体柱。该材料可用做色谱固定相、储能材料和电极材料等。 | ||
搜索关键词: | 多孔 碳涂覆 硅胶 整体 及其 制法 用途 | ||
【主权项】:
1.一种多孔碳涂覆硅胶整体柱,其特征在于:以多孔硅胶整体柱为载体,碳沉积在硅胶整体柱表面或/和内部,该整体柱有相互交联的骨架结构和相互贯穿的通透孔道。
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