[发明专利]采用多量子阱制备绿光氮化镓基LED外延片

摘要

本发明提出一种采用多量子阱制备绿光氮化镓基LED外延片，该外延片采用阱/中间层/垒结构的新型多量子阱技术，用MOCVD法生长GaN基绿光LED外延片。阱、垒之间的中间层能有效降低InGaN的分解，可在较高生长温度实现高In含量且高质量InGaN合成。

主权项

1、一种采用多量子阱制备GaN基绿光LED外延片生长技术，采用MOCVD设备，高纯H2、N2作为载气，整个生长压力控制在76-780Torr，生长步骤如下：1)0001取向蓝宝石衬底装入反应器，在H2气氛下加热至1050℃以上烘烤20min；2)在500-600℃生长厚度10-40nm的缓冲层；3)在950-1100℃生长厚度0.5-2μm的GaN层；4)950-1100℃生长厚度0.5-4μm的GaN：Si层；5)在700-900℃生长多量子阱层2；6)在950-1100℃生长厚度0.1-0.5μm的GaN：Mg层；7)在N2气氛下于600-850℃退火10-60分钟。