[发明专利]生成氧化膜的连续干式/湿式/干式氧化法无效
| 申请号： | 03119137.1 | 申请日： | 2003-03-14 |
| 公开（公告）号： | CN1531035A | 公开（公告）日： | 2004-09-22 |
| 发明（设计）人： | 姚俊敏 | 申请（专利权）人： | 旺宏电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/316 | 分类号： | H01L21/316;H01L21/31;H01L21/283 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 王学强 |
| 地址： | 台湾省新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种生成氧化膜的连续干式/湿式/干式氧化方法，用于在基片上生成一个氧化膜。先采用一个第一干式氧化工艺，以致密化原生氧化膜。然后，采用一个湿式氧化工艺，以生成氧化膜。接着，进行一个第二干式氧化工艺，以降低俘获电荷密度。 | ||
| 搜索关键词： | 生成 氧化 连续 湿式 | ||
【主权项】：
1.一种生成氧化膜的连续干式/湿式/干式氧化法，用于在一个基片上生成一个氧化膜，其特征在于，步骤包括：进行一道第一干式氧化工艺过程，以致密化原生氧化膜；进行一道湿式氧化工艺过程，以生成该氧化膜；以及进行一道第二干式氧化工艺过程，以降低俘获电荷密度。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
