[发明专利]防止产生光阻残渣的方法有效
| 申请号： | 03119435.4 | 申请日： | 2003-03-12 |
| 公开（公告）号： | CN1530744A | 公开（公告）日： | 2004-09-22 |
| 发明（设计）人： | 包天一;李连忠;郑双铭;章勋明 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/00 | 分类号： | G03F7/00;G03F1/00 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人： | 黄健 |
| 地址： | 台湾省新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种防止产生光阻残渣的方法。至少包括：提供一基底，在基底上形成有一介电层；接着，在介电层上形成一无氮类抗反射层；最后，在无氮类抗反射层上形成一光阻图案层，确保期间无氮类抗反射层不与光阻图案层交互作用因此不会形成光阻残渣(scum)，从而防止了光阻残渣造成后续蚀刻轮廓(profile)不佳及图形临界尺寸(critical dimension，CD)改变等问题。其中，无氮类抗反射层为富含硅的氧化硅(SiOx)或含碳氢的富含硅之氧化硅(SiOxCy∶H)。 | ||
| 搜索关键词： | 防止 生光 残渣 方法 | ||
【主权项】：
1、一种防止产生光阻残渣的方法，包括下列步骤：(1)提供一基底，其上形成有一介电层；(2)在该介电层上形成一无氮类抗反射层；以及(3)在该无氮类抗反射层上形成第一光阻图案层，使形成期间该无氮类抗反射层不与该第一光阻图案层交互作用因而不会形成光阻残渣。
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