[发明专利]液晶显示器的制造方法

摘要

一种制造液晶显示器的方法：首先，依序形成一无掺杂硅层、n型硅层及一金属层于基板上；图案化以定义n型TFT及像素TFT的源极/汲极及储存电容底部电极；全面形成一闸极氧化层及一闸极金属层；图案化以形成n型TFT的闸极、p型TFT的闸极、电源电极及画素TFT的闸极及画素储存电容，其中闸极的位置与其已形成的源极/汲极距离不对称，以抑制漏电流；再形成裸露该p型TFT的预定区的一光阻图案，再施以p型杂质布植以形成p型TFT的源极/汲极。在移除光阻图案后，先施以退火制程以活化杂质，再形成一感光树脂护层于所有表面；再经图案化形成接触洞，再形成ITO层，随之图案化以形成连接透明连接导线及画素电容的顶部电极。

主权项

1、一种制造液晶显示器的像素薄膜电晶体(TFT)及于驱动电路区同时形成第一导电型TFT及第二导电型TFT的方法，其特征在于该方法至少包含以下步骤：由下而上依序形成一无掺杂硅层、第一导电型硅层及一金属层于一基板上；图案化该金属层及该第一导电型硅层，用以定义该第一导电型TFT的源极/汲极、该像素TFT的源极/汲极及该画素储存电容底部电极；全面形成一闸极氧化层及一闸极金属层于该基板上图案后的表面上；图案化该闸极氧化层及该闸极金属层，用以在驱动电路区形成该第一导电型TFT的闸极、该第二导电型TFT的闸极，及电源电极，并同时于该画素区形成该画素TFT的闸极，并形成该画素储存电容；形成一第一光阻图案于该基板图案后的表面，该第一光阻图案裸露该第二导电型TFT的预定区；植入第二导电型杂质，以该第一光阻图案及该第二导电型TFT的闸极为罩幕，以使得该第二导电型TFT的源极/汲极经仅含有第二导电型杂质；移除该第一光阻图案；全面形成一护层于该画素区及该驱动电路区表面；图案化该护层，用以形成接触洞，该接触洞是用以分别裸露该电源电极、该第一导电型TFT的源极/汲极、该第二导电型TFT的源极/汲极、该画素TFT的源极/汲极及该画素电容的顶部电极；形成一透明导体氧化层于所有区域，除填满所述接触洞，并形成于该护层上；图案化该护层上的透明导体氧化层，用以进行该第一导电型TFT、第二导电型TFT、该画素TFT、及该储存电容的连接。