[发明专利]制造浅沟槽隔离结构（STI）的方法无效
| 申请号： | 03119437.0 | 申请日： | 2003-03-12 |
| 公开（公告）号： | CN1531057A | 公开（公告）日： | 2004-09-22 |
| 发明（设计）人： | 陈振隆;林平伟;聂俊峰;郑丰绪 | 申请（专利权）人： | 矽统科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/76 | 分类号： | H01L21/76 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人： | 王一斌 |
| 地址： | 台湾省新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明是关于一种在半导体基底上，具有良好填沟能力的浅沟槽隔离结构制造方法。首先，在半导体基底上形成沟槽，并在该沟槽的底部与侧壁依序形成内衬氧化物层与内衬氮化硅层；接着在该沟槽中顺应性的沉积部分高密度电浆氧化物层(HDP oxide)；接着，在半导体基底表面顺应性的形成一多晶硅层，再将半导体基底进行热处理以氧化该多晶硅层；接着将该半导体基底表面进行平坦化制程，以形成浅沟槽隔离结构(STI)。借由该高密度电浆氧化物与氧化后的多晶硅层，可以在沟槽中形成填充良好无孔洞的隔离结构。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 沟槽 隔离 结构 sti 方法 | ||
【主权项】：
1.一种制造浅沟槽隔离结构的方法，适用于一半导体基底上，包含下列步骤：在该半导体基底上形成一沟槽；在该沟槽底部与侧壁上形成一内衬氧化物(liner oxide)；在该内衬氧化物上形成一内衬氮化物层(liner nitride)；借由高密度电浆化学气相沉积法(HDPCVD)顺应性地在该沟槽中沉积一部分的一氧化物层；在该氧化物层上顺应性地沉积一硅层；将该半导体基底进行一热处理以氧化该硅层；以及将该半导体基底表面进行平坦化。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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