[发明专利]一种各向异性磁电阻坡莫合金薄膜的制备方法无效
| 申请号： | 03119630.6 | 申请日： | 2003-03-18 |
| 公开（公告）号： | CN1438355A | 公开（公告）日： | 2003-08-27 |
| 发明（设计）人： | 朱逢吾;于广华;李海峰;杨涛;滕胶 | 申请（专利权）人： | 北京科技大学 |
| 主分类号： | C23C14/14 | 分类号： | C23C14/14;C23C14/35;H01F10/14 |
| 代理公司： | 北京科大华谊专利代理事务所 | 代理人： | 杨玲莉 |
| 地址： | 100083*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种各向异性磁电阻坡莫合金薄膜的制备方法，涉及功能材料薄膜的制备，特别是涉及制备磁电阻薄膜。本方法是在清洗干净的玻璃基片上或单晶硅基片上沉积镍铁Ni0.81Fe0.19薄膜，将(Ni0.81Fe0.19)xCr1－x层作为种子层，x值介于0.13～0.53之间；沉积的顺序依次是1.0～12.0nm厚度的镍铁铬(Ni0.81Fe0.19)xCr1－x、10.0～200.0nm厚度的镍铁Ni0.81Fe0.19和5.0～9.0nm钽Ta。本发明由于采用体心结构的NiFeCr作为坡莫合金薄膜的一种新型种子层，其各向异性磁电阻AMR值比以传统的Ta为种子层时明显提高，最大可达34％，具有制备方便、不需要高温沉积和磁场热处理、成本低等优点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 各向异性 磁电 阻坡莫 合金 薄膜 制备 方法 | ||
【主权项】：
1、一种各向异性磁电阻坡莫合金薄膜的制备方法，在磁控溅射仪中，在清洗干净的玻璃基片或单晶硅基片上沉积镍铁Ni0.81Fe0.19，其特征在于，沉积镍铁Ni0.81Fe0.19薄膜时，将(Ni0.81Fe0.19)xCr1-x层作为种子层，x值介于0.13～0.53之间；沉积的顺序依次是1.0～12.0nm厚度的镍铁铬(Ni0.81Fe0.19)xCr1-x、10.0～200.0nm厚度的镍铁Ni0.81Fe0.19和5.0～9.0nm钽Ta。
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