[发明专利]真空纳米镀膜炉无效

专利信息
申请号: 03119719.1 申请日: 2003-03-10
公开(公告)号: CN1530459A 公开(公告)日: 2004-09-22
发明(设计)人: 强中黎;陈维熹;许镜明;薛伟贤;张苗南 申请(专利权)人: 北京凯贝克咨询有限公司
主分类号: C23C14/22 分类号: C23C14/22;C23C14/35
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 100038北京*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明真空纳米镀膜炉属于材料领域表面改性的真空离子物理镀膜(PVD)技术和设备。本发明设备,可在工件表面实多种膜系的多层纳米膜复合镀层,可应用在改善材料表面的性能。本发明将装有不同的靶材的等离子枪、阴极弧靶和磁控溅射靶等多种离子发生源穿插或交叉安置于同一真空室内,应用不同离子源的不同特性,产生不同材料、不同晶格、不同功效的纳米单膜;在专用的工艺程序控制下,特殊设计的磁控溅射靶及阴极弧靶电源和电气控制系统,保证控制每层膜的晶粒尺寸与厚度,实现纳米膜的多层交叉叠加,并确保纳米膜与基体、及各纳米膜之间的良好结合,从而在材料表面形成各种性能良好的多层纳米膜复合镀层。多层纳米膜复合镀层克服了单层镀膜存在的晶粒长大、内应力大、易产生微裂纹,及与基体结合差等缺点,又产生材料的纳米尺寸效应,使镀层材料性能处于最佳状态。可以广泛应用于工、模具和特殊要求的零部件表面改性。
搜索关键词: 真空 纳米 镀膜
【主权项】:
1、一种装有多种离子发生源、可实现多层纳米膜复合镀层的真空纳米镀膜炉,其特征在于所述的装有不同的靶材的多种离子发生源,可穿插或交叉安置在同一真空室内,依靠专门的工艺程序对专设的离子源电源和电气系统的控制,可在材料表面形成多层纳米膜复合镀层,改善材料表面性能。
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