[发明专利]影像感测器制造方法无效
| 申请号： | 03119767.1 | 申请日： | 2003-03-11 |
| 公开（公告）号： | CN1531040A | 公开（公告）日： | 2004-09-22 |
| 发明（设计）人： | 戴光助 | 申请（专利权）人： | 胜开科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/50 | 分类号： | H01L21/50;H01L27/14;H01L31/18 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人： | 刘领弟 |
| 地址： | 台湾省*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种影像感测器制造方法。为提供一种有效清除杂质、消除静电、避免杂质附着、确保影像感测器品质的感测器封装方法，提出本发明，它包括如下步骤：提供设有形成复数个第一接点上表面及形成复数个第二接点下表面的基板；于基板的上表面上设置凸缘层，并与基板形成凹槽；将影像感测晶片设置于基板的上表面上，并位于凹槽内；将复数条导线电连接影像感测晶片至基板的第一接点上；将为透光玻璃的透光层设置于凸缘层上，以将影像感测晶片覆盖住；于透光层上方设置静电消除光源。 | ||
| 搜索关键词： | 影像 感测器 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种影像感测器制造方法，它包括如下步骤：提供设有形成复数个第一接点上表面及形成复数个第二接点下表面的基板；于基板的上表面上设置凸缘层，并与基板形成凹槽；将影像感测晶片设置于基板的上表面上，并位于凹槽内；将复数条导线电连接影像感测晶片至基板的第一接点上；将为透光玻璃的透光层设置于凸缘层上，以将影像感测晶片覆盖住；其特征在于所述的设置透光层之后，于透光层上方设置静电消除光源。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
