[发明专利]小尺寸氮化镓基蓝、绿色发光二极管管芯的制作方法无效

专利信息
申请号: 03119842.2 申请日: 2003-03-05
公开(公告)号: CN1527409A 公开(公告)日: 2004-09-08
发明(设计)人: 杨辉;张书明 申请(专利权)人: 中国科学院半导体研究所
主分类号: H01L33/00 分类号: H01L33/00;H01S5/00
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 代理人: 汤保平
地址: 100083北*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 一种小尺寸氮化镓基蓝、绿色发光二极管管芯的制作方法,包括如下步骤:在蓝宝石衬底上分别制作N型氮化镓层、有源区和P型氮化镓层;在设计的N型欧姆接触电极区域利用刻蚀或腐蚀的方法形成一个圆形直径或方形边长小于50μm的孔,直到N型接触层;然后在样品表面蒸镀一层二氧化硅或氮化硅等绝缘薄膜;接着用光刻和腐蚀的方法将N型接触层上的绝缘膜腐蚀掉,露出N型接触层,而保留孔的侧墙面及台面上圆形直径或方形边长为100μm的绝缘层;在P型氮化镓层上制备P型欧姆接触接触电极;用光刻和蒸发或溅射的方法形成氮化镓基发光二极管的N型层欧姆接触接触电极;最后用切割法或划片法沿设计好的管芯的分割道分割成单个管芯。
搜索关键词: 尺寸 氮化 镓基蓝 绿色 发光二极管 管芯 制作方法
【主权项】:
1、一种小尺寸氮化镓基蓝、绿色发光二极管管芯的制作方法,该方法适用于蓝宝石衬底上外延的氮化镓基发光二极管结构的管芯的制作,其特征在于,包括如下步骤:1)在蓝宝石衬底上分别制作N型氮化镓层、有源区和P型氮化镓层;2)在设计的N型欧姆接触电极区域利用刻蚀或腐蚀的方法形成一个圆形直径或方形边长小于50μm的孔,直到N型接触层;3)然后在样品表面蒸镀一层二氧化硅或氮化硅等绝缘薄膜;4)接着用光刻和腐蚀的方法将N型接触层上的绝缘膜腐蚀掉,露出N型接触层,而保留孔的侧墙面及台面上圆形直径或方形边长为100μm的绝缘层;5)在P型氮化镓层上制备P型欧姆接触接触电极;6)用光刻和蒸发或溅射的方法形成氮化镓基发光二极管的N型层欧姆接触接触电极;7)最后用切割法或划片法沿设计好的管芯的分割道分割成单个管芯。
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