[发明专利]具有加电读模式的非易失半导体存储器有效
| 申请号： | 03119862.7 | 申请日： | 2003-02-02 |
| 公开（公告）号： | CN1435845A | 公开（公告）日： | 2003-08-13 |
| 发明（设计）人： | 李升根 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | G11C16/06 | 分类号： | G11C16/06;G11C16/26;G11C7/00 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 郭鸿禧,马莹 |
| 地址： | 暂无信息 | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 公开了一种在加电时进行自动读操作的非易失半导体存储器。为了自动读操作，在加电时，当电源电压达到第一电压时开始产生字线电压。当字线电压被充电到所需的电压电平时，开始自动读操作。 | ||
| 搜索关键词： | 有加 模式 非易失 半导体 存储器 | ||
【主权项】：
1、一种非易失半导体存储器，包括：设置成行和列的矩阵的存储单元阵列；电压检测器，在加电阶段，在电源电压达到第一检测电压时用于激活第一检测信号；读电压发生器，用于响应第一检测信号产生读电压和在读电压达到第二检测电压时用于激活第二检测信号；读启动信号发生器，用于响应第二检测信号的激活产生读启动信号；及读电路，用于响应读启动信号从存储单元阵列读取数据。
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