[发明专利]用于对缺陷单元地址编程的缺陷单元地址编程电路和方法无效
| 申请号： | 03119863.5 | 申请日： | 2003-02-04 |
| 公开（公告）号： | CN1441437A | 公开（公告）日： | 2003-09-10 |
| 发明（设计）人： | 金载勋;徐东一;吴孝镇 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | G11C11/34 | 分类号： | G11C11/34;G11C8/00 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 马莹,邵亚丽 |
| 地址： | 暂无信息 | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种半导体存储器件以及其中可用的缺陷单元地址编程电路。已封装的半导体存储器件包括：存储单元阵列；多个冗余存储单元，用于修复缺陷存储单元；比较器，用于比较在测试已封装的半导体存储器件的测试过程中从存储单元输出的数据，并产生比较对应信号；模式设置寄存器，用于存储外部施加的缺陷单元地址编程控制信号；地址产生电路，用于产生内部地址；缺陷单元地址编程电路，当比较一致信号指示检测到缺陷存储单元时，锁存来自地址产生电路的内部地址，并且对缺陷单元地址编程；以及缺陷单元地址解码电路，用于当从地址产生电路输出的内部地址和从缺陷单元地址编程电路输出的缺陷单元地址相对应时，产生冗余存储单元选择信号。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 缺陷 单元 地址 编程 电路 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体存储器件，包括：存储单元阵列，具有通过内部地址存取的多个存储单元；多个冗余存储单元，其通过缺陷存储单元的缺陷单元地址存取，冗余存储单元用于修复缺陷存储单元；比较器，用于在测试已封装的半导体存储器件期间，比较从存储单元输出的数据，并且用于产生比较输出信号；模式设置寄存器，用于响应模式控制信号，存储缺陷单元地址编程控制信号；地址产生电路，用于通过缓存和锁存外部施加的地址，产生内部地址；缺陷单元地址编程电路，用于当比较输出信号指示在半导体存储器件中检测到缺陷存储单元时，响应缺陷单元地址编程控制信号，锁存从地址产生电路输出的内部地址，并且把锁存器的内部地址作为缺陷单元地址编程；以及缺陷单元地址编码电路，用于当从地址产生电路输出的内部地址和从缺陷单元地址编程电路输出的缺陷单元地址相对应时，产生冗余存储单元选择信号，其中响应冗余存储单元选择信号，存取冗余存储单元。
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