[发明专利]显示器件及其制作方法有效
| 申请号： | 03119961.5 | 申请日： | 2003-03-14 |
| 公开（公告）号： | CN1445596A | 公开（公告）日： | 2003-10-01 |
| 发明（设计）人： | 山崎舜平;荒井康行 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | G02F1/167 | 分类号： | G02F1/167;G09F9/00 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 吴立明,梁永 |
| 地址： | 日本神奈川*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明的目的是提供一种宜于大量生产，重量轻和可弯曲的显示器件。显示器件包括含有TFT的象素单元，TFT的有源层包括用于在绝缘层的开口部分内形成沟道部分的有机半导体材料，安排成与栅电极相符合。象素单元还包括形成在连接到TFT的电极上方的根据施加的电场改变反射率的对比介质；或者包括根据施加的电场改变反射率的含有带电粒子的一些微胶囊。象素单元由塑料衬底夹住，包括无机绝缘材料的阻挡层提供在塑料衬底和象素单元之间。 | ||
| 搜索关键词： | 显示 器件 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种显示器件，包括：包括塑料的第一衬底；在第一衬底上方包括无机绝缘材料的第一阻挡层；在第一阻挡层上方的象素单元，它包括：薄膜晶体管，它包括：有源层，包括用于形成沟道部分的包含有机材料的半导体；栅电极；在第一阻挡层上方有开口部分的绝缘层；和在绝缘层上方并电连接到薄膜晶体管的电极；在电极上方的对比介质；在对比介质上方包括无机绝缘材料的第二阻挡层；在第二阻挡层上方包括塑料的第二衬底，其中，开口部分与栅电极重叠；其中，有源层在开口部分中形成；并且其中，对比介质根据施加的电场改变其反射率。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社半导体能源研究所，未经株式会社半导体能源研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/03119961.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：强感应体存储器及其动作方法和存储器装置
- 下一篇：彩色显像管装置
