[发明专利]用在MRAM器件中的改进的二极管及其制造方法无效
| 申请号： | 03119976.3 | 申请日： | 2003-03-14 |
| 公开（公告）号： | CN1487523A | 公开（公告）日： | 2004-04-07 |
| 发明（设计）人： | M·沙马;L·T·特兰 | 申请（专利权）人： | 惠普开发有限公司 |
| 主分类号： | G11C11/15 | 分类号： | G11C11/15;H01L21/70 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 吴立明;梁永 |
| 地址： | 美国德*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 公开了一种数据存储器件，其具有多个字线(26，28)、多个位线(20、22、24)和存储单元(40－50)的电阻交叉点阵列。每个存储单元连接到位线并连接到隔离二极管(88)，而隔离二极管进一步连接到相应字线。隔离二极管(88)提供从位线到字线的单向导电路径。每个字线提供与共享字线的每个二极管的公共金属－半导体接触件，因此每个二极管具有位于公共金属－半导体接触件的半导体部分和其相应的存储单元之间的分开的金属接触件。 | ||
| 搜索关键词： | mram 器件 中的 改进 二极管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种数据存储器件，包括：多个字线；多个位线；和存储单元的电阻交叉点阵列，每个存储单元连接到位线并连接到隔离二极管，而隔离二极管进一步连接到相应字线，隔离二极管提供从位线到字线的单向导电路径，并且其中每个字线提供与共享字线的每个二极管的公共金属-半导体接触件，因此每个二极管具有位于公共金属-半导体接触件的半导体部分和其相应的存储单元之间的分开的金属接触件。
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